淘汰与整合:中国半导体产业凭何“弯道超车”?

企业团队 / 2021-07-25 01:16

本文摘要:提到中国的半导体产业,尽管我们在追上中获得了极大的成绩,但若将我们的投放与目前在市场中的影响力比起,似乎无法算数顺利,而从当下全球半导体产业的发展趋势看,竞争愈演愈烈,解散、吞并和统合之势愈发显著,AMD的陨落;德仪、爱立信和英伟达在移动芯片市场的不得已解散,伴随着未来半导体产业的胜者将更加多倚赖企业自身可观的资金实力和持续大大的投放,这种现实之下,中国半导体产业要逆势茁壮,甚至像业内所言的急弯转弯谈何容易。那么问题来了,中国半导体产业知道还有机会吗?

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提到中国的半导体产业,尽管我们在追上中获得了极大的成绩,但若将我们的投放与目前在市场中的影响力比起,似乎无法算数顺利,而从当下全球半导体产业的发展趋势看,竞争愈演愈烈,解散、吞并和统合之势愈发显著,AMD的陨落;德仪、爱立信和英伟达在移动芯片市场的不得已解散,伴随着未来半导体产业的胜者将更加多倚赖企业自身可观的资金实力和持续大大的投放,这种现实之下,中国半导体产业要逆势茁壮,甚至像业内所言的急弯转弯谈何容易。那么问题来了,中国半导体产业知道还有机会吗?  日前,赛迪顾问公布的《中国IC28纳米工艺制程发展》白皮书针对中国半导体企业现状和企业特点,首次明确提出了牵头创意发展模式和将28纳米技术节点作为中国半导体产业急弯转弯的策略。那么这种策略知道能给中国半导体产业带给急弯转弯的机会吗?理由确有?  众所周知,作为技术含量颇高的半导体产业,如何紧贴,或者说切入点和领先于点的自由选择至关重要。

如果过分落后,一来技术水平可玩性和风险过大,很有可能无功而返;其次就是指市场需求的看作,也足以构建市场化的支撑力,造成有技术无市场或市场比较较小而导致的空白期。忽略,如果过分领先,不仅与全球半导体产业水平的差距更加大,导致资源的无端浪费,某种程度也背离了市场的主流市场需求。

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  在此,我们被迫托或者参考ITRS(InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors国际半导体技术蓝图)技术节点的概念。该概念定义为在工艺中构建根本性变革,或者说每节点构建约0.7倍的增大或每两个节点构建0.5倍的增大。而根据半导体工艺路线图的演变,40纳米的下一代工艺节点应当是32纳米,然后是22纳米。

然而,产业界从40纳米向上演变时,中间经过32纳米却迅速冲刺到28纳米。因为当工艺演进到32纳米时,用于基本相同的光刻设备之后可以伸延增大至28纳米。

在成本完全完全相同的情况下,用于28纳米工艺制程可以给产品带给更为较好的性能优势。与40纳米工艺比起,28纳米栅密度更高、晶体管的速度提高了约50%,而每次电源时的能耗则增大了50%。  另外,推展半导体产业行进的主要动力之一是光刻工艺尺寸的增大。

目前28纳米使用的是193纳米的浸液式方法,当尺寸增大到22和20纳米时,传统的光刻技术已无能为力,必需使用辅助的两次图形曝光技术(doublepatterning,全称为DP)。然而这样不会减少掩膜工艺次数,从而导致成本增加和工艺循环周期的不断扩大。这就造成了20和22纳米无论从设计还是生产成本上仍然无法构建很好的掌控,其成本大约为28纳米工艺成本的1.52倍左右。因此,综合技术和成本等各方面因素,28纳米都将沦为未来很长一段时间内的关键工艺节点。

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